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韋爾股份獲得發(fā)明專(zhuān)利授權(quán):“一種高轉(zhuǎn)換增益的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu)”
來(lái)源:證券之星 發(fā)表于 2024/7/17

證券之星消息,根據(jù)企查查數(shù)據(jù)顯示韋爾股份(603501)新獲得一項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利授權(quán),專(zhuān)利名為 " 一種高轉(zhuǎn)換增益的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu) ",專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)枮?CN202111579267.7,授權(quán)日為 2024 年 7 月 16 日。


專(zhuān)利摘要:本發(fā)明公開(kāi)了一種高轉(zhuǎn)換增益的圖像傳感器像素結(jié)構(gòu),包括置于半導(dǎo)體基體中的光電二極管 101、傳輸晶體管 103、浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn) 104、復(fù)位晶體管 105、源跟隨器晶體管 107、行選通晶體管 108、電源 106 以及 pixel 輸出 109;通過(guò)改變浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn) 104 與傳輸晶體管 103 和復(fù)位晶體管 105 之間的交疊電容,提高電荷電壓轉(zhuǎn)換因子,從而提高圖像傳感器的靈敏度:在浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn) 104 與所述傳輸晶體管 103 和復(fù)位晶體管 105 的交疊處分別設(shè)置復(fù)位晶體管淺溝道氧化層 115 和傳輸晶體管淺溝道氧化層 116,并在周?chē)O(shè)置淺溝槽隔離 117。本發(fā)明通過(guò)減少浮動(dòng)擴(kuò)散節(jié)點(diǎn)與傳輸晶體管和復(fù)位晶體管之間的交疊電容提高電荷電壓轉(zhuǎn)換因子減小輸入?yún)⒖荚肼暎岣咝旁氡,?shí)現(xiàn)高靈敏度的圖像傳感器。


今年以來(lái)韋爾股份新獲得專(zhuān)利授權(quán) 24 個(gè),較去年同期增加了 140%。結(jié)合公司 2023 年年報(bào)財(cái)務(wù)數(shù)據(jù),2023 年公司在研發(fā)方面投入了 22.34 億元,同比減 10.48%。


數(shù)據(jù)來(lái)源:企查查


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